GaN第一次改变光电是发生在光源端，基于GaN的LED技术在照明、显示屏等领域，已经大幅取代了传统低效的照明和显示技术，实现了巨大的节能减排效益，以灯泡为例，LED光效提升了7.5倍左右，寿命也提升了30倍。越来越多的照明厂商在LED驱动器（LED 电源）端采用GaN器件，对LED灯具进行新一轮的创新升级。由于GaN 的栅极电荷(Qg)为SI器件的1/12, 当在更高开关频率切换时， GaN技术可以减少90%的驱动损耗。 此外，由于没有体二极管， GaN器件没有反向恢复损耗，可实现更好的EMI性能，这意味着GaN技术不需要太复杂的EMI电路，从而节省了成本和额外的损耗。

作为大型“充电宝”，移动储能产品非常流行，通常包含充电和放电2个电路，充电方式有市电和太阳能两种，市电充电由PFC和隔离DC-DC组成；太阳能充电由光伏面板和MPPT组成；可提供交流输出和直流输出2种放电功能，交流输出由隔离DC-DC和逆变组成；直流输出通常由非隔离DC-DC组成。GaN器件其中多个环节都可以应用，可为移动储能产品实现双向逆变器功能，不仅可以提升系统效率，还能提供高能量转化率，实现无风扇设计，此外可以缩小性器件尺寸和重量，使得储能产品更轻便。

以手机快充为例，今天的手机变得越来越强大，这要求给手机充电的适配器往更大功率、更高功率密度方向发展，GaN的高频、高效特性正好满足此要求。与传统Si MOSFET相比，GaN具有以下优点:
1、低Qg/Ciss，低Coss/ qss：开关速度快，减少开关损耗；
2 、Qrr=0：无反向恢复损失(无体二极管)，降低开关噪声，更好的EMI性能；
3 、低 RDSON: 降低传导损耗。
氮化镓这种高效率、低损耗与高频率的特性，令其在充电器行业大放异彩。相比于普通充电器，相同功率下，氮化镓适配器的体积更小，且一个氮化镓充电器可满足多个电子产品充电，使用便捷度大大提高。