文｜半导体产业纵横

存储芯片具有固有的周期性变化特征，作为主要产品的DRAM和NAND Flash的市场规模也存在着明显的周期性波动。

从DRAM的价格周期看，自2012 年至今DRAM已经经历了三轮周期。

第一轮周期：2012年Q3至2016年Q2。其中2012年Q3至2014年Q2为周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长；2014年Q3至2016年Q2周期下行，主要是因为各厂商扩产落地导致供大于求。

第二轮周期：2016年Q3至2019年Q4。其中2016年Q3至2018年Q2周期上行，主要驱动力为主要的存储芯片厂商转移产能至3D NAND Flash，DRAM 无扩产计划；2018年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是中美贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔记本电脑等需求不佳，DRAM供过于求。

第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2为周期上行，主要驱动力为疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。2021年Q3至今为周期下行，原因是随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。

NAND Flash与DRAM的价格周期波动情况相似，自2012年至今也经历了三轮周期。

第一轮周期：2012年Q3至2015年Q4。其中2012年Q3至2013年Q1为周期上行，主要驱动力为智能手机的需求爆发。2013年Q2至2015年Q4周期下行，主要原因是PC 销售量衰减，导致需求持续疲软，同时各大存储厂新增产能开出，存储芯片整体供大于求。

第二轮周期：2016年Q1至2019年Q4。其中2016年Q1至2017年Q2周期上行，主要驱动力为非苹果智能手机品牌的需求提振但大部分厂商良率爬升普遍较缓，供给下滑严重。2017年Q3至2019年Q4周期下行，主要原因是 厂商 3D NAND 良率提升、大幅扩产，但其他部分如服务器、PC 及平板需求疲软。

第三轮周期：2020年Q1至今。其中2020年Q1至2021年Q2，NAND Flash 价格处于震荡状态。主要矛盾是中美贸易摩擦对需求形成一定压制与居家办公对消费电子需求的强烈提振。

2021年Q2至今，智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存。

如此看来，DRAM和NAND市场都有天然的周期性，每轮周期时间大约3至4年，这虽然会导致剧烈价格和收益变化 ，但是属于市场波动的正常现象。

从2021年下半年至今，DRAM和NAND Flash两大内存芯片价格已经下跌长达20个月。各存储芯片厂商正在集中减产、应对库存问题、节约资本开支，并推迟先进技术的进展，以应对存储器需求的疲软。

为了应对 3DNAND 和 DRAM 内存需求放缓的问题，美光宣布将DRAM和NAND晶圆产量减少约20%，除此之外，美光还宣布将在2023年削减30%的资本开支。

SK 海力士也宣布削减2023年的资本支出50%以上，并对收益较低的存储产品进行减产。随后在今年年初，有台媒报道SK海力士已调降供国内设施使用的晶圆产量10%。

铠侠也做出了减产动作，调整日本四日市和北上NAND Flash晶圆厂的生产，晶圆生产量将减少约30%。

西部数据宣布NAND闪存产量减少30%。

就在近日，三星一改之前坚决不减产的态度，宣布对存储芯片进行减产。三星电子表示，将把内存芯片产量削减至“合理水平”，主要以PC内存“DDR4”等通用产品为中心推进。

随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给端过剩现象将进一步改善。近期，从海外三大存储巨头的预测来看，市场情况正在出现微妙变化。

据美光透露，存储芯片库存已至高点，后续有望迎来行业拐点。虽然目前存储价格仍在下行，但厂商库存压力已达到峰值，后续有望逐步下降至安全水位。

SK海力士日前在股东大会上也透露，预计存储芯片需求将在今年下半年复苏，但不确定性依旧存在，公司今年资本开支将减半，不会进一步减产。

铠侠也认为随着今年中国经济全面重启，客户库存水平逐季降低，市场需求将于今年下半年复苏。

此外，在近日召开的CFMS 2023峰会上，中国存储龙头长江存储的首席运营官程卫华在演讲中也提到，得益于智能手机、服务器和个人电脑制造商的需求订单，全球NAND闪存市场的供需将在今年下半年达到平衡。

值得注意的是，三星电子近日通知分销商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。DRAM现货价格日前停止下跌，明显早于预期。据全球半导体观察DRAMeXchange数据，最常见的DRAM产品之一DDR4 16Gb 2600的现货价格在4月11日上涨0.78%，成为自2022年3月7日以来的首次价格上涨。

存储市场的崩溃主要来自两方面的原因，一方面是供过于求，目前全球存储厂商都在奋力减产并且已有所成效。另一方面则是源于市场需求低迷，伴随着全球经济回暖以及AIGC的拉动，或许有望一扫阴霾迅速回暖。

近日，AIGC大热，对于AI服务器需求大增，而AI服务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍，NAND Flash是常规服务器的3倍，直接拉动DRAM和NAND需求大幅增长。2023年服务器使用的DRAM将超过智能手机，成为DRAM的第一大应用场景。

HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案。据悉，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，价格也水涨船高，近期HBM3规格DRAM价格已上涨5倍。

目前，HBM主要被安装在GPU、网络交换及转发设备（如路由器、交换器）、AI加速器、超级计算机及高效能服务器上，约占整个DRAM市场的1.5%，整体市占率水平尚低。但随着AI技术不断扩大对高算力的需求，HBM销售量有望迎来快速增长。根据TrendForce数据显示，2023—2025年HBM市场CAGR有望成长至40%-45%以上，至2025年市场规模有望达25亿美元，市场需求快速提升。

此外，AI大模型庞大的数据集需要更大容量的NANDFlash存储数据。据悉，GPT-3的参数量已达1750亿个，GPT-4则需要更多。根据TrendForce数据显示，去年第四季度，NAND闪存合约价格大跌20%～25%，今年第一季度NAND闪存均价跌幅有所收敛，至10%～15%，第二季度将继续下跌，但跌幅将放缓至5%～10%。

随着存储芯片下游持续消化库存，大厂减产几乎已“减无可减”，加上三星也传出有意调控产能，恐导致存储价格随时反弹，因而出现逢低价大量补货的买气，相关厂商已迎来急单潮。

力成表示，客户开始加大下单力道，今年状况将优于预期。群联也透露，客户提前回补库存，订单量明显回升约两成。力成是全球存储封测龙头，群联则是NAND Flash控制器芯片大厂，近期两家大厂接单同步报喜，率先感受到市况转强，透露整体存储市场正快速复苏当中。

力成曾在3月中旬的法说会上表示今年一季度运营比过往淡季还淡，第二季起才有望缓步回升，但时隔仅半个月，情况似乎就出现了大转变。力成CEO谢永达直言，随着业界库存逐步见底，近期客户急单涌入，公司对今年的展望与看法将优于原先预估。谢永达说，存储市场相比逻辑芯片市场更晚进入修正，也较晚回温，并且存储业者多数都拥有晶圆厂，减产力度不敢太重，随着客户库存去化差不多到一个段落，产业自然开始恢复拉货力道。

群联CEO潘健成指出，目前NAND Flash报价相当便宜，成功刺激终端需求，已观察到市场需求正呈现倍数成长，研判会有其他存储原厂再宣布减产，代表后续有机会迎来产业景气回春。群联已感受到客户群提前回补库存的急单需求，近期订单量显著回升约两成。

如此看来，相信用不了多久存储业便会寒风不再，暖风徐来。

江波龙高级副总裁、COO王景阳表示：“价钱下跌对我们这些做存储的厂商来说，是很痛苦的事情，我们可能会亏钱，可能会有库存压力，但实际上，这对整个产业繁荣是大的利好，这个过程可能痛苦一点，但是应该很快过去了。”

的确，等这波寒潮过去，到时候迎来的就是极好的光景。因为大容量存储器的终端渗透率正不断提升。

在手机市场上，中低端手机的存储容量在向128/256GB发展，高端手机的存储容量迈向了512GB，甚至1TB，手机内存也迈向10+GB，尤其在中高端的安卓手机中越来越多地搭载12GB/16GB的LPDDR。

在PC市场上，今年会全面进入512G和1T时代，并且会以1TB容量为主。不论是新一代大容量的移动端产品和消费级SSD的迭代升级，还是层出不穷的创新应用场景，未来消费电子市场对于存储行业来说依旧是重要的增长市场之一。

除此之外，在数据中心领域，IT架构创新与eSSD丰富场景的应用，同样推动着服务器的存储容量快速向上发展。

因此整体来看，2022年的存储市场规模有所下滑，但存储容量规模仍略有增长。其中，全球NAND Flash容量增长了6%，达到了6100亿GB，全球DRAM容量增长2%，达1900亿GB。随着线上业务不断发展、海量数据持续增长，未来存储市场也将迎来新一轮的需求变化。